华擎B660M PG Riptide搭载了15相供电,不过没有采用流行的DrMOS方案,依然使用的是传统的上下桥MOSFET方案,搭载的散热片比其它几款要单薄一些。BIOS里可以设定PL2功率墙(241W)和PL1功率墙(125W),开启Dual Tau Boost可以多出一个大约为165W的Boost功率梯度。当然,最终满载功率会还是会回到125W水平上。125W持续考机半小时后,PCB背面VRM区域最高温度达到了91.4℃,而高温仅集中在那一小块区域上,其它MOSFET的温度都表现正常。建议入手此款主板的玩家选择合适的辅助散热方案,从而降低其VRM温度。